基於新型磷前體的熱法 ALD 合成磷化鈦 (2025年4月23日)

 https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2025/nr/d5nr00457h

這篇發表於 Nanoscale 期刊的文章介紹了一種新的利用熱原子層沉積(ALD)技術合成磷化鈦(TixPy)的方法。該方法使用自行合成的三(三甲基錫)磷化物(TMT3P)作為磷源，四氯化鈦(TiCl4)作為鈦源。研究發現，沉積過程遵循ALD原理，並在175°C至225°C之間存在一個ALD窗口。研究人員使用多種技術對在不同基材上生長的磷化鈦薄膜進行了表徵，發現薄膜具有顆粒狀表面，電阻率約為數百歐姆。X射線光電子能譜(XPS)分析表明，薄膜的化學成分取決於沉積溫度和基材類型，並且富含磷。研究人員還根據XPS結果，對磷化鈦的生長過程進行了初步描述。

這項研究的成功之處在於開發出一種新的磷源(TMT3P)，並將其應用於ALD技術中，從而實現了磷化鈦薄膜的可控合成。磷化鈦作為一種具有潛在應用價值的材料，在電子器件、光催化等領域具有廣闊的應用前景。該研究詳細考察了沉積溫度、前驅體劑量時間以及基材類型等參數對薄膜化學成分的影響，為優化薄膜性能提供了重要的實驗依據。利用ALD技術製備成分可控、均勻性良好的薄膜，有助於實現其在納米電子器件上的應用。